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| FUVEST/2008 | | 1. |
Certas quantidades de água comum (H2O) e de água deuterada (D2O) — água que contém átomos de deutério em lugar de átomos de hidrogênio — foram misturadas. Ocorreu a troca de átomos de hidrogênio e de deutério, formando-se moléculas de HDO e estabelecendo-se o equilíbrio (estado I)
H2O + D2O ⇋ 2HDO
As quantidades, em mols, de cada composto no estado I estão indicadas pelos patamares, à esquerda, no diagrama.
Depois de certo tempo, mantendo-se a temperatura constante, acrescentou-se mais água deuterada, de modo que a quantidade de D2O, no novo estado de equilíbrio (estado II), fosse o triplo daquela antes da adição. As quantidades, em mols, de cada composto envolvido no estado II estão indicadas pelos patamares, à direita, no diagrama.
A constante de equilíbrio, nos estados I e II, tem, respectivamente, os valores
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| a. | 0,080 e 0,25 |
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| b. | 4,0 e 4,0 |
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| c. | 6,6 e 4,0 |
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| d. | 4,0 e 12 |
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| e. | 6,6 e 6,6 |
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| FUVEST/2008 | | 2. |
As surfactinas são compostos com atividade antiviral. A estrutura de uma surfactina é
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| a. | 1 : 2 : 3 |
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| b. | 3 : 2 : 1 |
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| c. | 2 : 2 : 2 |
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| d. | 1 : 4 : 1 |
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| e. | 1 : 1 : 4 |
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| PUC SP/2008 | | 3. |
O elemento X forma com o oxigênio um óxido básico de fórmula XO, enquanto o elemento J forma com o oxigênio um óxido ácido
de fórmula J2O.
O composto formado pelos elementos X e J é
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| a. | metálico e apresenta fórmula mínima XJ. |
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| b. | molecular e apresenta fórmula molecular X2J3. |
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| c. | molecular e apresenta fórmula molecular XJ2. |
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| d. | iônico e apresenta fórmula mínima X2J. |
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| e. | iônico e apresenta fórmula mínima XJ2. |
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| PUC SP/2008 | | 4. |
A eletrólise em série de uma solução aquosa de sulfato de zinco e de uma solução aquosa de iodeto de potássio é esquematizada a seguir.
A respeito deste sistema foram feitas as seguintes afirmações.
I. Nos ânodos (pólos +) formam-se zinco metálico e gás hidrogênio.
II. O volume de gás oxigênio (O2) formado no frasco A é a metade do volume de gás hidrogênio (H2) formado no frasco B.
III. A massa de zinco formada no frasco A é igual à massa de iodo formado no frasco B.
IV. A solução resultante no frasco B apresenta pH > 7.
Estão corretas as afirmações
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| a. | I e III. |
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| b. | II e IV. |
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| c. | I, II e IV. |
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| d. | I, II e III. |
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| e. | III e IV. |
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| UFSCAR/2008 | | 5. |
Uma tecnologia promissora para atender parte de nossas necessidades energéticas, sem a poluição gerada pela queima de combustíveis fósseis, envolve a transformação direta de parte da energia luminosa do Sol em energia elétrica. Nesse processo são utilizadas as chamadas células fotogalvânicas, que podem funcionar utilizando semicondutores extrínsecos de silício, constituídos por uma matriz de silício de alta pureza, na qual são introduzidos níveis controlados de impurezas. Essas impurezas são elementos químicos em cujas camadas de valência há um elétron a mais ou a menos, em relação à camada de valência do silício. Semicondutores do tipo n são produzidos quando o elemento utilizado como impureza tem cinco elétrons na camada de valência. Considerando os elementos B, P, Ga, Ge, As e In como possíveis impurezas para a obtenção de um semicondutor extrínseco de silício, poderão ser do tipo n apenas aqueles produzidos com a utilização de:
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| a. | B. |
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| b. | Ge. |
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| c. | Ga e Ge. |
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| d. | P e As. |
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| e. | B, Ga e In. |
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